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Quando
05/11/2018 de 14h00 para 16h00
(America/Sao_Paulo / UTC-200)
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Onde
Auditório CCTS
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Data: 05/11/2018
Horário: 15h00 pm
Local: Auditório CCTS
Título: “Crescimento de filmes de óxidos e nitretos
metálicos usando plasmas frios"
Público alvo: alunos de graduação, pós-graduação e professores
Visando a produção de novos materiais, diferentes aplicações, e redução de custos, a técnica de sputtering reativo para a produção de filmes usados em dispositivos vem sendo desenvolvida. Nesta técnica, a energia de uma fração dos átomos depositados encontra-se na faixa entre 1 e 40 eV (equivalentes a temperaturas da ordem de 100.000 Kelvin!!), ou seja, muito acima das distribuições térmicas. Esse acréscimo energético dos precursores, presentes nos
chamados plasmas frios, provoca alterações significativas nos processos de crescimento e nas propriedades físicas dos filmes produzidos. Resultados obtidos para produção de filmes de GaN, TiN, TiO2, Co3O4 e a física envolvida nesses processos serão abordados no seminário.
Prof. Dr. José Humberto Dias da Silva
Grupo de Materiais Avançados
POSMAT – UNESP - Bauru
